EL

Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

NGD8201ANT4G, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [D-PAK]
NGD8201ANT4G, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [D-PAK]
Производитель: Littelfuse, NGD8201ANT4G

Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Корпус TO252, Напряжение К-Э максимальное 440 В, Ток коллектора максимальный при 2…

NGB18N40ACLBT4G, Транзистор, Ignition IGBT, 430В, 18А [D2-PAK]
NGB18N40ACLBT4G, Транзистор, Ignition IGBT, 430В, 18А [D2-PAK]
Производитель: Littelfuse, NGB18N40ACLBT4G

IXYK120N120C3, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 1200В, 120А, 96нс [TO-264]
IXYK120N120C3, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 1200В, 120А, 96нс [TO-264]
Производитель: Ixys Corporation, IXYK120N120C3
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.2
Корпус TO-264
Технология/семейство genx3, xpt
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 240
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1500
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 176
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 700
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 35

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 220A XPT IGBT

IXYH40N120B3D1, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 1200В, 40А, 183нс [TO-247AD]
IXYH40N120B3D1, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 1200В, 40А, 183нс [TO-247AD]
Производитель: Ixys Corporation, IXYH40N120B3D1
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9
Корпус TO-247AD
Технология/семейство genx3, xpt
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 86
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 480
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 177
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 22

IGBT 1200V 86A 480W Through Hole TO-247 (IXYH)

IXXK160N65B4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 160А, 90нс [TO-264]
IXXK160N65B4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 160А, 90нс [TO-264]
Производитель: Ixys Corporation, IXXK160N65B4
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Корпус TO-264
Технология/семейство genx4, xpt
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 310
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 940
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 220
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 860
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 52

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT

IXXH60N65C4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 60А, 30нс [TO-247]
IXXH60N65C4, Транзистор, XPT GenX4 IGBT, 650В, 60А, 30нс [TO-247]
Производитель: Ixys Corporation, IXXH60N65C4
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.2
Корпус TO-247AD
Технология/семейство genx4, xpt
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 118
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 455
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 133
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 240
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 37

IXXH50N60C3D1, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]
IXXH50N60C3D1, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]
Производитель: Ixys Corporation, IXXH50N60C3D1
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Корпус TO-247AD
Технология/семейство genx3, xpt
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 600
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 62
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 24

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked

IXXH50N60C3, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]
IXXH50N60C3, Транзистор, XPT GenX3 IGBT, 600В, 50А, 42нс [TO-247AD]
Производитель: Ixys Corporation, IXXH50N60C3
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Корпус TO-247AD
Технология/семейство genx3, xpt
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 600
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 62
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 24

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp

IXGX32N170H1, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 290нс [TO-247]
IXGX32N170H1, Транзистор, IGBT, 1700В, 75А, 290нс [TO-247]
Производитель: Ixys Corporation, IXGX32N170H1
Максимальное напряжение КЭ ,В 1700
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.3
Корпус plus-247
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 75
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 350
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 270
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 45

IXGN200N60B3, Транзистор, GenX3 IGBT, 600В, 200А [SOT-227B (minibloc)]
IXGN200N60B3, Транзистор, GenX3 IGBT, 600В, 200А [SOT-227B (minibloc)]
Производитель: Ixys Corporation, IXGN200N60B3
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.5
Корпус SOT-227B
Технология/семейство genx3, pt
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 300
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 830
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 1200

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A