ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NGTG50N60FWG, Транзистор IGBT 600V 100A 223W [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NGTG50N60FWG, Транзистор IGBT 600V 100A 223W [TO-247]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
NGTG50N60FWG, Транзистор IGBT 600V 100A 223W [TO-247]
Последняя цена
530 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NGTG50N60FWG
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1784509
Технические параметры
Вес, г
10.89
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.7
Корпус
to-247
Технология/семейство
trench
Наличие встроенного диода
нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
223
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
285
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
117