Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

STGP14NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 14А [TO-220]

Производитель: ST Microelectronics, STGP14NC60KD

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Корпус	to-220
Технология/семейство	powermesh
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	80
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	116
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	50
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	22.5

STGP14NC60KD - это защищенный от короткого замыкания IGBT, в котором используется усовершенствованный процесс PowerMESH ™, обеспечивающий превос…

Сравнить

STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]

Производитель: ST Microelectronics, STGP10NC60KD

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Корпус	to-220
Технология/семейство	powermesh
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	20
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	65
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	72
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	30
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	17

IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 35 нс; Диод Uпад: 2 В Корпус TO220AB, Напряжени…

Сравнить

STGF19NC60KD, Транзистор IGBT 600В 16А 32Вт [TO-220FP]

Производитель: ST Microelectronics, STGF19NC60KD

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT

Сравнить

STGF19NC60HD, Транзистор IGBT N-канал 600В 9А [TO-220FP]

Производитель: ST Microelectronics, STGF19NC60HD

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Корпус	to-220fp
Технология/семейство	powermesh
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	16
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	97
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	25

Сравнить

STGD18N40LZT4, IGBT транзистор, 400V, 25A, [D-PAK]

Производитель: ST Microelectronics, STGD18N40LZT4

Максимальное напряжение КЭ ,В	420
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.7
Корпус	d-pak
Технология/семейство	powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	125
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	13500
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	40
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	650

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Сравнить

STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK]

Производитель: ST Microelectronics, STGB10NB37LZT4

Максимальное напряжение КЭ ,В	440
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.8
Корпус	d2-pak
Технология/семейство	powermesh, internally clamped
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	20
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	125
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	8000
Рабочая температура (Tj), °C	-65…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А	40
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	1300

IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 410 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 мкс Корпус TO263, Напряжение К-Э…

Сравнить

STGB10NC60HDT4, Транзистор IGBT N-CH 600V 20A [D2-PAK]

Производитель: ST Microelectronics, STGB10NC60HDT4

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Корпус	d2-pak
Технология/семейство	powermesh
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	20
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	65
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	72
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	30
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	14.2

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

Сравнить

STGB10NB37LZ, Транзистор IGBT 440В 20А 125Вт [D2PAK]

Производитель: ST Microelectronics, STGB10NB37LZ

Сравнить

SKW30N60HS, Высокоскоростной IGBT в NPT-технологии, 600В, 30А, Eoff=480µJ, [PG-TO-247-3] (=IKW30N60H3FKSA1)

Производитель: Китай, SKW30N60HS

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.15
Корпус	pg-to-247-3
Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	41
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	250
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	112
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	20

Сравнить

SKW25N120FKSA1 (K25N120), FastIGBT+D 1200В 25A, [TO-247]

Производитель: Infineon Technologies, SKW25N120FKSA1 (K25N120)

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	3.6
Корпус	pg-to-247-3
Технология/семейство	npt
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	46
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	313
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	730
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	84
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	45

Сравнить