RJH60F7DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT Chip N-CH 600В 90А 328.9Вт [TO-247A], Renesas Technology - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT

Производитель

Renesas Technology

Артикул

RJH60F7DPQ-A0#T0

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1788883

Вес, г

5.6

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

1.75

Корпус

to-247a

Технология/семейство

trench

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

328.9

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

142

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

RJH60F7DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT Chip N-CH 600В 90А 328.9Вт [TO-247A] - характеристики, поставщики