ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Renesas Technology
RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]
Последняя цена
330 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Renesas Technology
Артикул
RJH60F5DPQ-A0#T0
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1788882
Технические параметры
Вес, г
7.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.8
Корпус
to-247a
Технология/семейство
trench
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
260.4
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
105
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
53
Техническая документация
RJH60F5DPQ-A0 , pdf
, 89 КБ