BSP52, Транзистор NPN, 80 В, 200 МГц, 1.25 Вт, 1 А, 2000 hFE [SOT-223]
![BSP52, Транзистор NPN, 80 В, 200 МГц, 1.25 Вт, 1 А, 2000 hFE [SOT-223]](/file/p_img/1759780.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSP52
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1 |
| Корпус | SOT-223 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 300 |
• Возможность пайки волной или оплавлением • Дополнением PNP является BSP62T1 • Соответствует требованиям AECQ101 и поддерживает PPAP…
BLT81
Производитель: NXP Semiconductor
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 9.5 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | SOT-223 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 900 |
BLT50.115, NPN биполярный транзистор, радиочастотный, [SOT-223]
![BLT50.115, NPN биполярный транзистор, радиочастотный, [SOT-223]](/file/p_img/1759281.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BLT50.115
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 10 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | SOT-223 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 470 |
BFU590GX, Транзистор NPN, 12В, 200мА, 8.5ГГц, AEC-Q101 [SOT-223]
![BFU590GX, Транзистор NPN, 12В, 200мА, 8.5ГГц, AEC-Q101 [SOT-223]](/file/p_img/1758883.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BFU590GX
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | SOT-223 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 8500 |
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Корпус TO261
BFU550AR, Транзистор NPN, 12В, 50мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
![BFU550AR, Транзистор NPN, 12В, 50мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]](/file/p_img/1758882.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BFU550AR
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,45 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 11000 |
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
BFU530AR, Транзистор NPN, 12В, 40мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
![BFU530AR, Транзистор NPN, 12В, 40мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]](/file/p_img/1758881.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BFU530AR
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,04 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,45 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 11000 |
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
BFT93,215, Транзистор PNP, 5 ГГц [SOT-23-3]
![BFT93,215, Транзистор PNP, 5 ГГц [SOT-23-3]](/file/p_img/1758880.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BFT93,215
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.035 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.18 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 5000 |
BFS17WH6327XTSA1, Транзистор ВЧ NPN 15В 0.025А Automotive [SOT-323]
![BFS17WH6327XTSA1, Транзистор ВЧ NPN 15В 0.025А Automotive [SOT-323]](/file/p_img/1758879.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BFS17WH6327XTSA1
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 15 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,28 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 1400 |
NPN RF-Trans. 15V 25mA SOT323 Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 280 мВт, Напряжение КЭ максимальное 15 В…
BFS17PE6327HTSA1, Сверхвысокочастотный NPN биполярный транзистор, [SOT-23]
![BFS17PE6327HTSA1, Сверхвысокочастотный NPN биполярный транзистор, [SOT-23]](/file/p_img/1758878.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BFS17PE6327HTSA1
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 15 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.03 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.28 |
| Корпус | sot-23 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 1400 |
BFS 17P E6327 - это кремниевый радиочастотный транзистор NPN для широкополосных усилителей до 1 ГГц при токах коллектора от 1 до 20 мА. Он подхо…