BU941ZPFI, Транзистор, NPN darlington+diode, 350В, 15А, 65 Вт [TO-3PF]
![BU941ZPFI, Транзистор, NPN darlington+diode, 350В, 15А, 65 Вт [TO-3PF]](/file/p_img/1760016.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BU941ZPFI
| Структура | npn darlington с 2 резисторами, диодом и стабил. |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 350 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
| Корпус | TO-3PF |
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics
BU941ZP, Транзистор биполярный, NPN, Ic=15А, Vceo=350В, Vcbo=350В, Pd=155Вт [TO-3PN]
![BU941ZP, Транзистор биполярный, NPN, Ic=15А, Vceo=350В, Vcbo=350В, Pd=155Вт [TO-3PN]](/file/p_img/1760015.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BU941ZP
| Структура | npn darlington с 2 резисторами, диодом и стабил. |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 350 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 155 |
| Корпус | TO-3PN |
BU941ZP, Транзистор, NPN darlington+diode, 350В, 15А, 65 Вт [TO-218]
![BU941ZP, Транзистор, NPN darlington+diode, 350В, 15А, 65 Вт [TO-218]](/file/p_img/1760014.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BU941ZP
| Структура | npn darlington с 2 резисторами, диодом и стабил. |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 350 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 155 |
| Корпус | to-218 |
BU931P, Транзистор Darlington NPN 15А 400В 135Вт [TO-3PN]
![BU931P, Транзистор Darlington NPN 15А 400В 135Вт [TO-3PN]](/file/p_img/1760013.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BU931P
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 135 |
| Корпус | TO-3PN |
BU931P, Транзистор NPN Darlington 400В 15А [TO-247]
![BU931P, Транзистор NPN Darlington 400В 15А [TO-247]](/file/p_img/1760012.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BU931P
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 135 |
| Корпус | to-247 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics
BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом [ISOWATT-218]
![BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом [ISOWATT-218]](/file/p_img/1760011.jpg)
Производитель: Китай, BU808DFI
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и 2 диодами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 700 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 52 |
| Корпус | isowatt-218 |
BU806, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=200В, Vcbo=400В, Pd=60Вт [TO-220]
![BU806, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=200В, Vcbo=400В, Pd=60Вт [TO-220]](/file/p_img/1760010.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BU806
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и 2 диодами |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | to-220 |
BU508DF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=34Вт [TO-3PFa]
![BU508DF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=34Вт [TO-3PFa]](/file/p_img/1760007.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BU508DF
| Структура | npn с диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 700 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10…30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 34 |
| Корпус | to-3pfa |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 7 |
BU508AW, Транзистор NPN 700В 8А 125Вт [TO-247-3]
![BU508AW, Транзистор NPN 700В 8А 125Вт [TO-247-3]](/file/p_img/1760006.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BU508AW
Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics
BU508AF, Мощный высоковольтный NPN биполярный транзистор, драйвер управления строчной разверткой ТВ
Производитель: NXP Semiconductor, BU508AF
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 125 |
| Корпус | sot-199 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |