BFS17NTA, Транзистор NPN, 11В, 50мА, 3.2ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
![BFS17NTA, Транзистор NPN, 11В, 50мА, 3.2ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]](/file/p_img/1758877.jpg)
Производитель: Diotec Semiconductor, BFS17NTA
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 11 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,05 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 56 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,33 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3200 |
RF Bipolar Transistors, Diodes Inc.
BFS17A,215, Транзистор, NPN [SOT-23]
![BFS17A,215, Транзистор, NPN [SOT-23]](/file/p_img/1758876.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BFS17A,215
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 15 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.03 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 90 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2800 |
BFR93AR SOT23, Транзистор
Производитель: NXP Semiconductor, BFR93AR SOT23
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 150 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
Корпус | sot23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 6000 |
BFR93AWH6327XTSA1, Транзистор RF, NPN, 12В, 0.05А 300мВт, Automotive [SOT-323]
![BFR93AWH6327XTSA1, Транзистор RF, NPN, 12В, 0.05А 300мВт, Automotive [SOT-323]](/file/p_img/1758873.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BFR93AWH6327XTSA1
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.09 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 70 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | SOT-323 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 6000 |
Биполярные РЧ транзисторы, Infineon
BFR93A,215, Транзистор NPN, 6 ГГц [SOT-23]
![BFR93A,215, Транзистор NPN, 6 ГГц [SOT-23]](/file/p_img/1758872.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BFR93A,215
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 7.5 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.03 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4500 |
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 15 В, Ток коллектора 35 мА, Коэффициент…
BFR92PE6327HTSA1, Транзистор NPN, 15В, 45мА, 5ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
![BFR92PE6327HTSA1, Транзистор NPN, 15В, 45мА, 5ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]](/file/p_img/1758871.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BFR92PE6327HTSA1
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 15 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,045 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 70 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,28 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 5000 |
NPN RF-Trans. 15V 45mA SOT23 Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 280 мВт, Напряжение КЭ максимальное 15…
BFR92A,215, Сверхвысокочастотный NPN биполярный транзистор, радиочастотный [SOT-23]
![BFR92A,215, Сверхвысокочастотный NPN биполярный транзистор, радиочастотный [SOT-23]](/file/p_img/1758870.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BFR92A,215
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.03 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 5000 |
BFR91A, Сверхвысокочастотный NPN биполярный транзистор, [TO-50]
![BFR91A, Сверхвысокочастотный NPN биполярный транзистор, [TO-50]](/file/p_img/1758869.jpg)
Производитель: Vishay, BFR91A
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.05 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.3 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 6000 |
BFR540, Транзистор, NPN, 9ГГц, 15В, 120мА [SOT-23]
![BFR540, Транзистор, NPN, 9ГГц, 15В, 120мА [SOT-23]](/file/p_img/1758868.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BFR540
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 15 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,12 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60…250 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,5 |
Корпус | sot-23 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 9000 |
BFR193FH6327XTSA1, ВЧ транзистор NPN 12В 8ГГц [PG-TSFP-3]
![BFR193FH6327XTSA1, ВЧ транзистор NPN 12В 8ГГц [PG-TSFP-3]](/file/p_img/1758867.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, BFR193FH6327XTSA1
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR