ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFU550AR, Транзистор NPN, 12В, 50мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFU550AR, Транзистор NPN, 12В, 50мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFU550AR, Транзистор NPN, 12В, 50мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
Последняя цена
12 руб.
Сравнить
Описание
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFU550AR
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758882
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
12в
Рассеиваемая Мощность
450мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
50мА
DC Усиление Тока hFE
60hFE
Частота Перехода ft
11ГГц
Вес, г
0.05
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Корпус РЧ Транзистора
sot-23
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
24
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
12
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0,05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0,45
Корпус
sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
11000
Техническая документация
BFU550A , pdf
, 307 КБ
Datasheet , pdf
, 306 КБ
Datasheet , pdf
, 295 КБ