EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

BU2508DF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=45Вт, hFE= 4...7 [TO-3PML]
BU2508DF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=45Вт, hFE= 4...7 [TO-3PML]
Производитель: Inchange Semiconductor, BU2508DF
Структура npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 4…7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 45
Корпус TO-3PML

BU2508DF, Мощный высоковольтный NPN транзистор с демпферным диодом, горизонтальная (строчная) развертка
BU2508DF, Мощный высоковольтный NPN транзистор с демпферным диодом, горизонтальная (строчная) развертка
Производитель: Китай, BU2508DF
Структура npn с резистором и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 4…7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 45
Корпус sot-399

BU2508AF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=45Вт, hFE= 4…7 [TO-3PFa]
BU2508AF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=45Вт, hFE= 4…7 [TO-3PFa]
Производитель: Inchange Semiconductor, BU2508AF
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 4…7
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 45
Корпус to-3pfa

BU2506DF SOT199
BU2506DF SOT199
Производитель: NXP Semiconductor
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 3.8
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 45
Корпус sot-199
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

BU208A, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=55Вт , hFE= =2.25 [TO-3]
BU208A, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=55Вт , hFE= =2.25 [TO-3]
Производитель: Inchange Semiconductor, BU208A
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 700
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 2.25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 150
Корпус то-3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 7

BU1508AX, Транзистор
Производитель: NXP Semiconductor, BU1508AX

BSR41,115, Транзистор NPN, 60V, 1A, [SOT-89]
BSR41,115, Транзистор NPN, 60V, 1A, [SOT-89]
Производитель: Nexperia, BSR41,115
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1.35
Корпус SOT-89
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

BSR16, Транзистор, PNP, 60В, 0.5А, [SOT-23]
BSR16, Транзистор, PNP, 60В, 0.5А, [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSR16
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

Малосигнальные транзисторы PNP, от 60 до 160 В, Fairchild Semiconductor

BSR15, Транзистор, PNP, 40В, 0.8А, [SOT-23]
BSR15, Транзистор, PNP, 40В, 0.8А, [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSR15
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

BSR14, Транзистор, NPN, 40В, 0.5А, [SOT-23]
BSR14, Транзистор, NPN, 40В, 0.5А, [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BSR14
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.35
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor