EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

BFR520, Транзистор, NPN, 9ГГц, 15В, 70мА [SOT-23]
BFR520, Транзистор, NPN, 9ГГц, 15В, 70мА [SOT-23]
Производитель: Inchange Semiconductor, BFR520
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.07
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 9000

BFR193E6327HTSA1, NPN биполярный транзистор, высокочастотный, [SOT-23]
BFR193E6327HTSA1, NPN биполярный транзистор, высокочастотный, [SOT-23]
Производитель: Infineon Technologies, BFR193E6327HTSA1
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 12
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.08
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.58
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 8000

Биполярные РЧ транзисторы, Infineon

BFR183E6327HTSA1, ВЧ транзистор NPN 12В 8ГГц [SOT-23-3]
BFR183E6327HTSA1, ВЧ транзистор NPN 12В 8ГГц [SOT-23-3]
Производитель: Infineon Technologies, BFR183E6327HTSA1

Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 450 мВт,…

BFR182E6327HTSA1, Транзистор NPN, 12В, 35мА, 8ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
BFR182E6327HTSA1, Транзистор NPN, 12В, 35мА, 8ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
Производитель: Infineon Technologies, BFR182E6327HTSA1
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 12
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,035
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 70
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,25
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 8000

Биполярные РЧ транзисторы, Infineon

BFQ67,215, NPN Ft =8GHz 5mA10V300mW [SOT-23]
BFQ67,215, NPN Ft =8GHz 5mA10V300mW [SOT-23]
Производитель: NXP Semiconductor, BFQ67,215
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 10
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 8000

BFQ18A,115, Транзистор ВЧ, NPN 18В 4ГГц [SOT-89-3]
BFQ18A,115, Транзистор ВЧ, NPN 18В 4ГГц [SOT-89-3]
Производитель: NXP Semiconductor, BFQ18A,115

Биполярные РЧ транзисторы, Nexperia

BFP760H6327XTSA1, ВЧ транзистор, NPN, 4В, 45ГГц [SOT-343]
BFP760H6327XTSA1, ВЧ транзистор, NPN, 4В, 45ГГц [SOT-343]
Производитель: Infineon Technologies, BFP760H6327XTSA1

РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS

BFP640FESDH6327XTSA1, Транзистор RF NPN 4.7V 46GHZ [TSFP-4]
BFP640FESDH6327XTSA1, Транзистор RF NPN 4.7V 46GHZ [TSFP-4]
Производитель: Infineon Technologies, BFP640FESDH6327XTSA1

BFP450, 25GHz RF Transistor SOT343, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BFP450, 25GHz RF Transistor SOT343
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 4.5
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Корпус sot343
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 25000

BFP640, 70GHz RF Transistor SOT343
Производитель: Infineon Technologies
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 13
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.2
Корпус sot343
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 40000