ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFU530AR, Транзистор NPN, 12В, 40мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFU530AR, Транзистор NPN, 12В, 40мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFU530AR, Транзистор NPN, 12В, 40мА, 11ГГц, AEC-Q101 [SOT-23-3]
Последняя цена
21 руб.
Сравнить
Описание
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFU530AR
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758881
Технические параметры
Вес, г
0.05
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
24
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
12
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0,04
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0,45
Корпус
sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
11000
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 307 КБ
BFU530A , pdf
, 308 КБ
Datasheet BFU530AR , pdf
, 295 КБ