BU508AF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт , hFE= 6…30 [TO-3PML]
![BU508AF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=700В, Vcbo=1500В, Pd=60Вт , hFE= 6…30 [TO-3PML]](/file/p_img/1760004.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BU508AF
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 700 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 6…30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | TO-3PML |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 7 |
BU4508DX, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=45Вт [TO-3P(H)IS]
![BU4508DX, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=800В, Vcbo=1500В, Pd=45Вт [TO-3P(H)IS]](/file/p_img/1760003.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BU4508DX
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 4.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 45 |
| Корпус | to-3p(h)is |
BU406TU, Транзистор NPN 400В 7А 60Вт 10МГц [TO-220]
![BU406TU, Транзистор NPN 400В 7А 60Вт 10МГц [TO-220]](/file/p_img/1760002.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BU406TU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 200 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 |
Trans GP BJT NPN 200V 7A 60000 мВт 3-контактный (3 выступа) TO-220AB Трубка
BU406G, Транзистор NPN 400В 7А 60Вт 10МГц [TO-220]
![BU406G, Транзистор NPN 400В 7А 60Вт 10МГц [TO-220]](/file/p_img/1760001.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BU406G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 200 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 |
BU2532AL, [SOT-430]
![BU2532AL, [SOT-430]](/file/p_img/1759986.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BU2532AL
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 16 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 125 |
| Корпус | sot430 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
BU2527AX, Мощный высоковольтный NPN транзистор, управление горизонтальной (строчной) разверткой ТВ
Производитель: NXP Semiconductor, BU2527AX
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 45 |
| Корпус | sot-199 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
BU2527AF, Мощный биполярный транзистор
Производитель: NXP Semiconductor, BU2527AF
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 45 |
| Корпус | sot-199 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
BU2525AF, SOT199
Производитель: NXP Semiconductor, BU2525AF
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 12 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 125 |
| Корпус | sot-199 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
BU2515DX, Транзистор биполярный, NPN, Ic=9А, Vceo=800В Vcbo=1500В 45Вт [TO-3PML]
![BU2515DX, Транзистор биполярный, NPN, Ic=9А, Vceo=800В Vcbo=1500В 45Вт [TO-3PML]](/file/p_img/1759982.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BU2515DX
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 9 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5…10.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 45 |
| Корпус | TO-3PML |
BU2515DX, Транзистор биполярный, [SOT-399]
![BU2515DX, Транзистор биполярный, [SOT-399]](/file/p_img/1759981.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BU2515DX
| Структура | npn с резистором и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 800 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 9 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5…10.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 45 |
| Корпус | sot-399 |