DMN2005UFG-7
Производитель: Diodes Incorporated
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 20 В 18,1 A (Tc) 1,05 Вт (Ta) PowerDI3333-8 для поверхностног…
DMN3404L-7
Производитель: Diodes Incorporated
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: SOT-23-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5.8 А,…
SI7540ADP-T1-GE3
Производитель: Vishay
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
ZXMN6A25DN8TA
Производитель: Diodes Incorporated
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60 В 3,8 А 1,8 Вт для поверхностного…
BSC022N04LS
Производитель: Infineon Technologies
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
DMNH6042SSDQ-13
Производитель: Diodes Incorporated
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
DMN1019UVT-7
Производитель: Diodes Incorporated
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 12V Enh Mode FET
STF13N60M2, Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Производитель: ST Microelectronics, STF13N60M2
IXFK64N50P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 64 А, 500 В, 85 мОм, 10 В, 5.5 В [TO-264AA]
![IXFK64N50P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 64 А, 500 В, 85 мОм, 10 В, 5.5 В [TO-264AA]](/file/p_img/1998766.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXFK64N50P
IXFK64N50P - это одноканальный силовой МОП-транзистор с N-канальным расширением и быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™). Он отличается низким с…