DMN2005UFG-7, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал 20 В 18,1 A (Tc) 1,05 Вт (Ta) PowerDI3333-8 для поверхностного монтажа

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2036324

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

DMN2005 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

18.1A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

164nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6495pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-PowerVDFN

Power Dissipation (Max)

1.05W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PowerDI3333-8

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±12V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

18.1 A

Pd - рассеивание мощности

2.27 W

Qg - заряд затвора

68.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

8.7 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

12 V, + 12 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

700 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

25.7 ns

Время спада

38 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2000

Серия

DMN2005

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

114 ns

Типичное время задержки при включении

12.4 ns

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

PowerDI3333-8

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

18.1A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.05W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.2V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet DMN2005UFG-7 , pdf , 572 КБ
Datasheet DMN2005UFG-7 , pdf , 513 КБ
Datasheet , pdf , 513 КБ

DMN2005UFG-7 - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация