SI7232DN-T1-GE3 - характеристики, поставщики

SI7232DN-T1-GE3

Последняя цена 55 руб.

SI7232DN-T1-GE3

Сравнить

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2014736

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

PowerPAK 1212

Рассеиваемая Мощность

23Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока

25А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0135Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

1В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.06

Линейка Продукции

TrenchFET Series

Максимальный непрерывный ток стока

24 A

Максимальное рассеяние мощности

23 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.15мм

Высота

1.07мм

Количество элементов на ИС

2

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

24 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Длина

3.15мм

Типичное время задержки выключения

35 ns

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Размеры

3.15 x 3.15 x 1.07мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

8

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

21 нКл при 8 В

Типичная входная емкость при Vds

1220 pF @ 10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

25A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

23W

Rds On - Drain-Source Resistance

16.4mО© @ 10A,4.5V

Transistor Polarity

2 N Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 640 КБ