BSC022N04LS, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2019580

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.1137

Ширина

5.15 mm

Высота

1.27 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

100 A

Pd - рассеивание мощности

69 W

Qg - заряд затвора

52 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.8 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

6.8 ns

Время спада

5 ns

Длина

5.9 mm

Другие названия товара №

SP001059844 BSC022N04LSATMA1

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

90 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

5000

Серия

OptiMOS 5

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

26 ns

Типичное время задержки при включении

6.1 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TDSON-8

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

100A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

69W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

40V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet BSC022N04LSATMA1 , pdf , 1458 КБ
Datasheet , pdf , 1325 КБ

BSC022N04LS - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация