ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMN3404L-7 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMN3404L-7
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMN3404L-7
Последняя цена
24 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: SOT-23-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5.8 А, 0.72Вт
N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2034029
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.05
Максимальный непрерывный ток стока
5,8 A
Максимальное рассеяние мощности
720 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
1.1мм
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
42 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
3мм
Типичное время задержки выключения
13,92 нс
Тип корпуса
SOT-23
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
3,41 нс
Производитель
DiodesZetex
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
386 пФ при 15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
5.8A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
720mW
Rds On - Drain-Source Resistance
28mО© @ 5.8A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
2V @ 250uA
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet , pdf
, 341 КБ