ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI7540ADP-T1-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI7540ADP-T1-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI7540ADP-T1-GE3
Последняя цена
310 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2027171
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel, P-Channel
Вес, г
0.5066
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
12 A, 9 A
Pd - рассеивание мощности
3.5 W
Qg - заряд затвора
27 nC, 48 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
15 mOhms, 28 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
600 mV, 1.4 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Конфигурация
Dual
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SI7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
PowerPAK-SO-8
Техническая документация
Datasheet SI7540ADP-T1-GE3 , pdf
, 85 КБ
Datasheet SI7540ADP-T1-GE3 , pdf
, 445 КБ
Datasheet , pdf
, 444 КБ