ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMN1019UVT-7 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMN1019UVT-7
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMN1019UVT-7
Последняя цена
79 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 12V Enh Mode FET
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2013018
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.013
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
DMN1019 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
10.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50.4nC @ 8V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2588pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power Dissipation (Max)
1.73W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TSOT-26
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
10.7 A
Pd - рассеивание мощности
1.73 W
Qg - заряд затвора
50.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
10 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
12 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
350 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
3.7 ns
Время спада
11.6 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DMN1019
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
32.2 ns
Типичное время задержки при включении
4.7 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
TSOT-26-6
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
10.7A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
1.73W
Rds On - Drain-Source Resistance
10mО© @ 9.7A,4.5V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
12V
Vgs - Gate-Source Voltage
800mV @ 250uA
Техническая документация
Datasheet DMN1019UVT-7 , pdf
, 360 КБ
Datasheet DMN1019UVT-7 , pdf
, 283 КБ
