FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P]
![FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P]](/file/p_img/1229335.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FCA20N60F
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/10А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Крутизна характеристики, S | 17 |
| Корпус | TO-3PN |
N-канальные полевые МОП-транзисторы SuperFET® и SuperFET® II, Fairchild Semiconductor Fairchild добавила семейство высоковол…
F445MR12W1M1B76BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, 25 А, 1.2 кВ, 0.045 Ом, Module
Производитель: Infineon Technologies, F445MR12W1M1B76BPSA1
F423MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Quad N Channel, 50 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module
Производитель: Infineon Technologies, F423MR12W1M1PB11BPSA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsТраншейный мост для модуля IGBT, 1200 В, 50 А, 20 мВт, монтаж на…
F423MR12W1M1B76BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, 45 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module
Производитель: Infineon Technologies, F423MR12W1M1B76BPSA1
F3L15MR12W2M1B69BOMA1, Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, Двойной N Канал, 75 А, 1.2 кВ, 0.015 Ом, Module
Производитель: Infineon Technologies, F3L15MR12W2M1B69BOMA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsДискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY
F3L11MR12W2M1B65BOMA1, Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, N Канал, 100 А, 1.2 кВ, 0.0113 Ом, Module
Производитель: Infineon Technologies, F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) L…
EFC8811R-TF, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 12 В, 27 А, 0.0023 Ом, CSP, Surface Mount
Производитель: ONSEMI, EFC8811R-TF
ECH8659-TL-W, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 7 А, 0.018 Ом, SOT-28FL, Surface Mount
Производитель: ONSEMI, ECH8659-TL-W
E3M0120090D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 23 А, 900 В, 0.12 Ом, TO-247
Производитель: WOLFSPEED, E3M0120090D
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETsN-канал 900V 23A (Tc) 97W (Tc) сквозное отверстие TO-247-3
DMTH10H010LPS-13
Производитель: Diodes Incorporated
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 61V-100V