Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

FDD6612A, N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
FDD6612A, N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
Производитель: ONSEMI, FDD6612A

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом…

FDD2582, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 150 В, 0.058 Ом, 10 В, 4 В
FDD2582, МОП-транзистор, N Канал, 21 А, 150 В, 0.058 Ом, 10 В, 4 В
Производитель: ONSEMI, FDD2582

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы FDD2582 - это N-канальный полевой МОП-транзистор, из…

FDC86244, МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 150 В, 0.113 Ом, 10 В, 2.5 В
FDC86244, МОП-транзистор, N Канал, 2.3 А, 150 В, 0.113 Ом, 10 В, 2.5 В
Производитель: ON Semiconductor, FDC86244

МОП-транзистор 150V N-Channel PowerTrench МОП-транзистор

FDC638P, МОП-транзистор, P Канал, 4.5 А, 20 В, 0.039 Ом, 12 В, 800 мВ
FDC638P, МОП-транзистор, P Канал, 4.5 А, 20 В, 0.039 Ом, 12 В, 800 мВ
Производитель: ONSEMI, FDC638P

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы FDC638P - это P-канальный МОП-транзистор с напряжени…

FDC6310P, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 2.2 А, 0.1 Ом, SOT-23, Surface Mount
FDC6310P, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 2.2 А, 0.1 Ом, SOT-23, Surface Mount
Производитель: ONSEMI, FDC6310P

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы • Низкий заряд затвора • Высокая скорость переключения •…

FDB3632
FDB3632
Производитель: ON Semiconductor

Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБКорпус TO263

FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
Производитель: ON Semiconductor, FDA28N50F
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.175 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 310
Крутизна характеристики, S 35
Корпус TO-3PN

МОП-транзистор 500V 28A N-Channel

FCP4N60, МОП-транзистор, N Канал, 3.9 А, 600 В, 1 Ом, 10 В, 5 В
Производитель: ONSEMI, FCP4N60

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы FCP4N60 - это семейство высоковольтных полевых МОП-т…