F3L11MR12W2M1B65BOMA1, Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, N Канал, 100 А, 1.2 кВ, 0.0113 Ом, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 26760 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

F3L11MR12W2M1B65BOMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1227742

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

100А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0113Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

0.16

MOSFET Configuration

Three Level Inverter

Линейка Продукции

EasyPACK CoolSiC Series

Минимальная рабочая температура

40 C

Pd - рассеивание мощности

20 mW

Вид монтажа

Screw Mount

Другие названия товара №

F3L11MR12W2M1_B65 SP001684176

Категория продукта

Модули биполярных транзисторов с изолированным зат

Коммерческое обозначение

CoolSiC ~ EasyPACK ~ PressFIT

Конфигурация

Dual

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Серия

CoolSiC Module

Технология

SiC

Тип продукта

IGBT Modules

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

Module

Продукт

IGBT Silicon Carbide Modules

Упаковка

Tray

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1.2 kV

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.75 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

50 A

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Техническая документация

Datasheet F3L11MR12W2M1B65BOMA1 , pdf , 660 КБ
Datasheet F3L11MR12W2M1B65BOMA1 , pdf , 621 КБ

F3L11MR12W2M1B65BOMA1, Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, N Канал, 100 А, 1.2 кВ, 0.0113 Ом, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 26760 руб.

Техническая документация