E3M0120090D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 23 А, 900 В, 0.12 Ом, TO-247, WOLFSPEED - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 960 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

N-канал 900V 23A (Tc) 97W (Tc) сквозное отверстие TO-247-3

Информация

Производитель

WOLFSPEED

Артикул

E3M0120090D

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1208316

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

to-247

Рассеиваемая Мощность

97Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

900В

Непрерывный Ток Стока

23А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.12Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

2.1В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

0.1

Стандарты Автомобильной Промышленности

AEC-Q101

MOSFET Configuration

single

Линейка Продукции

E-Series

Series

Automotive, AEC-Q101, E ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

23A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.3nC @ 15V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 600V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

97W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 15A, 15V

RoHS Status

RoHS Compliant

Supplier Device Package

TO-247-3

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+18V, -8V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 3mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet E3M0120090D , pdf , 695 КБ
Datasheet E3M0120090D , pdf , 730 КБ

E3M0120090D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 23 А, 900 В, 0.12 Ом, TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 960 руб.

Техническая документация