F445MR12W1M1B76BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, 25 А, 1.2 кВ, 0.045 Ом, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

F445MR12W1M1B76BPSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1227808

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

22вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Полярность Транзистора

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

25А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.045Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

453.6

MOSFET Configuration

Линейка Продукции

EasyPACK CoolSiC Trench Series

F445MR12W1M1B76BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, 25 А, 1.2 кВ, 0.045 Ом, Module - характеристики, поставщики