F423MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Quad N Channel, 50 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 25200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Траншейный мост для модуля IGBT, 1200 В, 50 А, 20 мВт, монтаж на шасси AG-EASY1B-2

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

F423MR12W1M1PB11BPSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1227806

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Стиль Корпуса Транзистора

Module

Полярность Транзистора

Quad N Channel

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

50А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0225Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

4.5В

Вес, г

MOSFET Configuration

Full Bridge

Линейка Продукции

EasyPACK CoolSiC Series

Series

EasyPACKв„ў ->

Base Product Number

F423MR12 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Mounting Type

Chassis Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

Module

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

AG-EASY1B-2

Power - Max

20mW

Configuration

Full Bridge

Current - Collector (Ic) (Max)

50A

Current - Collector Cutoff (Max)

3.68nF

IGBT Type

Trench

Input

Standard

NTC Thermistor

Yes

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 435 КБ

F423MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Quad N Channel, 50 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 25200 руб.

Техническая документация