ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P]
Последняя цена
450 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные полевые МОП-транзисторы SuperFET® и SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild добавила семейство высоковольтных полевых МОП-транзисторов SuperFET® II с использованием технологии Super Junction. Он обеспечивает лучшую в своем классе производительность корпусных диодов в импульсных источниках питания переменного и постоянного тока (SMPS), таких как серверы, телекоммуникации, вычислительная техника, промышленные источники питания, ИБП / ESS, солнечные инверторы, осветительные приборы, которые требуют высокой плотности мощности. , эффективность и надежность системы.
Используя передовую технологию балансировки заряда, разработчики достигают более эффективных, экономичных и высокопроизводительных решений, которые занимают меньше места на плате и повышают надежность.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FCA20N60F
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1229335
Технические параметры
Вес, г
5.8
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.19 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
208
Крутизна характеристики, S
17
Корпус
TO-3PN
Пороговое напряжение на затворе
3…5
Техническая документация
FCA20N60F , pdf
, 953 КБ
Datasheet FCA20N60F , pdf
, 2583 КБ
Datasheet FCA20N60F , pdf
, 2578 КБ
Datasheet , pdf
, 2578 КБ