ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IMZ120R350M1HXKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IMZ120R350M1HXKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IMZ120R350M1HXKSA1
Последняя цена
430 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO2474, АБ
МОП-транзистор SIC DISCRETE
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1251172
Технические параметры
Вес, г
8.003
Series
CoolSiCв„ў ->
Base Product Number
IMZ120 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
4.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1.2kV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.3nC @ 18V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
182pF @ 800V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-4
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 2A, 18V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-4-1
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+23V, -7V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1mA
Id - непрерывный ток утечки:
4.7 A
Pd - рассеивание мощности:
60 W
Qg - заряд затвора:
5.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток:
- 7 V, + 23 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
5.7 V
Вид монтажа:
Through Hole
Время нарастания:
1.7 ns
Время спада:
19.3 ns
Другие названия товара №:
IMZ120R350M1H SP001808378
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Коммерческое обозначение:
CoolSiC
Конфигурация:
Single
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
Подкатегория:
MOSFETs
Полярность транзистора:
N-Channel
Производитель:
Infineon
Размер фабричной упаковки:
240
Серия:
IMZ120R350
Технология:
SiC
Тип продукта:
MOSFET
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:
10.8 ns
Типичное время задержки при включении:
4.8 ns
Торговая марка:
Infineon Technologies
Упаковка / блок:
TO-247-4
Упаковка:
Tube
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
1 S
Техническая документация
Datasheet IMZ120R350M1HXKSA1 , pdf
, 1314 КБ
Datasheet IMZ120R350M1HXKSA1 , pdf
, 1367 КБ
Datasheet IMZ120R350M1HXKSA1 , pdf
, 1217 КБ