IPB054N06N3GATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 80 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.4 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1251670

Технические параметры

Вес, г

1.926

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Transistor Material

Length

10.31mm

Brand

Infineon

Series

OptiMOS 3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

61 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Power Dissipation

115 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

11.05mm

Height

4.57mm

Maximum Drain Source Resistance

5.7 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Forward Transconductance

94s

Dimensions

10.31 x 11.05 x 4.57mm

Typical Turn-On Delay Time

24 ns

Typical Turn-Off Delay Time

32 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 690 КБ
Datasheet , pdf , 688 КБ

IPB054N06N3GATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация