ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IMZ120R220M1HXKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IMZ120R220M1HXKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IMZ120R220M1HXKSA1
Последняя цена
660 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 10, корпус: TO2474, АБ
МОП-транзистор SIC DISCRETE
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1251171
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
7.983
Series
CoolSiCв„ў ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
IMZ120 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1.2kV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 18V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
289pF @ 800V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-4
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 4A, 18V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-4-1
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+23V, -7V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 1.6mA
Id - непрерывный ток утечки
13 A
Pd - рассеивание мощности
75 W
Qg - заряд затвора
8.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
220 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
1.2 kV
Vgs - напряжение затвор-исток
7 V, + 23 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5.7 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
1 ns
Время спада
12.7 ns
Другие названия товара №
IMZ120R220M1H SP001946190
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolSiC
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
2 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
240
Серия
IMZ120RXM1H
Технология
SiC
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
9.8 ns
Типичное время задержки при включении
4.8 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-247-4
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet IMZ120R220M1HXKSA1 , pdf
, 1274 КБ
Datasheet IMZ120R220M1HXKSA1 , pdf
, 1201 КБ
Datasheet IMZ120R220M1HXKSA1 , pdf
, 1221 КБ
