BSS123NH6327XTSA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБКорпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное на…
IPB020NE7N3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор N-канальный 75В 120A автомобил…
IRF1018ESPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБКорпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряже…
IRF7404TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: 8-SO, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.7 АКо…
STW11NM80
Производитель: ST Microelectronics
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 30, корпус: TO247MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25&#…
MTP2P50EG
Производитель: ON Semiconductor
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Корпус | TO-247-3 |
IRF840STRLPBF
Производитель: Vishay
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8 А, 125…