IRF7404TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 8-SO, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.7 А

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1625007

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.26

Максимальный непрерывный ток стока

6,7 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

60 МОм

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

100 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

0.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.7V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

50 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

1500 pF @ -15 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

6.7A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

700mV @ 250uA

Техническая документация

Datasheet IRF7404 , pdf , 232 КБ

IRF7404TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация