BSS123NH6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 190 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 6 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1629230

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.034

Максимальный непрерывный ток стока

190 mA

Package Type

SOT-23

Максимальное рассеяние мощности

500 mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3mm

Высота

1мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Brand

Infineon

Series

OptiMOS

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Pin Count

Тип канала

Base Product Number

BSS123 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

190mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

20.9pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 190mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 13ВµA

Id - непрерывный ток утечки

190 mA

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Qg - заряд затвора

0.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3.2 ns

Время спада

22 ns

Длина

2.9мм

Другие названия товара №

BSS123N BSS123NH6327XT H6327 SP000870646

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS123

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

7.4 ns

Типичное время задержки при включении

2.3 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Типичный заряд затвора при Vgs

0.6 nC @ 10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Channel Mode

Поднятие

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 139 КБ
Datasheet BSS123NH6327XTSA1 , pdf , 628 КБ
Datasheet , pdf , 571 КБ

BSS123NH6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 6 руб.

Техническая документация