ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF840STRLPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRF840STRLPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF840STRLPBF
Последняя цена
250 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8 А, 125 Вт, 0.85 Ом
МОП-транзистор N-Chan 500V 8.0 Amp
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1624335
Технические параметры
Вес, г
2.3
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
800
Серия
IRF
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
8A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
3.1W
Rds On - Drain-Source Resistance
850mО© @ 4.8A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 179 КБ
Datasheet IRF840STRLPBF , pdf
, 1040 КБ