STW11NM80, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1624398

Технические параметры

Вес, г

6.288

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-247

Transistor Material

Length

15.75mm

Brand

STMicroelectronics

Series

MDmesh

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

43.6 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Power Dissipation

150 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

5.15mm

Height

20.15mm

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 905 КБ

STW11NM80 - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация