IRF1018ESPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 54 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO263, АБ

Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 79 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.4 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1628004

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.346

Максимальный непрерывный ток стока

79 A

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

55 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

2290 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

IRF1018ESPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 54 руб.