IPB020NE7N3GATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 450 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор N-канальный 75В 120A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, от 60 до 80 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1629223

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

1.35

Максимальный непрерывный ток стока

120 А

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2 MΩ

Максимальное напряжение сток-исток

75 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.31мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

70 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

19 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.3V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

155 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

10800 пФ при 37,5 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

IPB020NE7N3GATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 450 руб.