ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP]
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 900 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP10NK80ZFP
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741827
Технические параметры
Вес, г
2
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.9 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
40
Крутизна характеристики, S
9.6
Корпус
to-220fp
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 440 КБ
Datasheet , pdf
, 440 КБ