ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD12NF06LT4, Транзистор STripFET N-CH 60V 12A, [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD12NF06LT4, Транзистор STripFET N-CH 60V 12A, [D-PAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD12NF06LT4, Транзистор STripFET N-CH 60V 12A, [D-PAK]
Последняя цена
89 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.08...0.1 Ом; @Uзатв(ном): 5...10 В; Uзатв(макс): 16 В
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 100 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD12NF06LT4
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741840
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.1 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
30
Крутизна характеристики, S
7
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
en.DM00123336 , pdf
, 845 КБ