ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP3NK80Z, Транзистор MOSFET N-канал 800В 2.5А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP3NK80Z, Транзистор MOSFET N-канал 800В 2.5А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP3NK80Z, Транзистор MOSFET N-канал 800В 2.5А [TO-220]
Последняя цена
52 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 800 В; Iс(25°C): 2.5 А; Rси(вкл): 4.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.5 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP3NK80Z
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741824
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
4.5 Ом/1.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
70
Крутизна характеристики, S
2.1
Корпус
to-220
Пороговое напряжение на затворе
4.5
Особенности
высоковольтный
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
STF3NK80Z , pdf
, 881 КБ
std3nk80z , pdf
, 1020 КБ
Datasheet STP3NK80Z , pdf
, 884 КБ
Datasheet STP3NK80Z , pdf
, 1104 КБ