FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]
FQD12N20LTM - это силовой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом улучшения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и высокой устойчивости к лавинной энергии. Он подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.
• 100% лавинные испытания • Типичный низкий заряд затвора 16 нКл • Типичный низкий коэффициент сопротивления 17 пФ
![FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]](/file/p_img/1742178.jpg)