ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F]
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQPF10N60C
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742175
Технические параметры
Вес, г
2
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
9.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.73 Ом/4.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
156
Крутизна характеристики, S
8
Корпус
TO-220F
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
FQPF10N60C datasheet , pdf
, 476 КБ
Datasheet FQPF10N60C , pdf
, 1471 КБ
Datasheet FQPF10N60C , pdf
, 1467 КБ