ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220]
Последняя цена
90 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO-220-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FQP27P06
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742177
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
27
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.07 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
120
Крутизна характеристики, S
12.4
Корпус
to-220
Пороговое напряжение на затворе
-4
Техническая документация
FQP27P06 , pdf
, 906 КБ
Datasheet FQP27P06 , pdf
, 992 КБ
Datasheet FQP27P06 , pdf
, 931 КБ