ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SK3530, Транзистор, SuperFAP-G, N-канал, 800В, 7А, 1.9Ом [2-10R1B / TO-220F] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fuji Electric
2SK3530, Транзистор, SuperFAP-G, N-канал, 800В, 7А, 1.9Ом [2-10R1B / T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2SK3530, Транзистор, SuperFAP-G, N-канал, 800В, 7А, 1.9Ом [2-10R1B / TO-220F]
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Fuji Electric
Артикул
2SK3530
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742406
Технические параметры
Вес, г
2
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
1.9 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
70
Корпус
TO-220F
Техническая документация
SuperFAP-G Series , pdf
, 253 КБ