IPB600N25N3GATMA1, N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin D2PAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 178 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPB600N25N3GATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1742598

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

1.6

Максимальный непрерывный ток стока

25 A

Максимальное рассеяние мощности

136 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.45мм

Высота

4.57мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

60 МОм

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.31мм

Серия

OptiMOS 3

Типичное время задержки выключения

22 ns

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.31 x 9.45 x 4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

22 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1770 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 690 КБ
Datasheet IPB600N25N3GATMA1 , pdf , 630 КБ

IPB600N25N3GATMA1, N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V, 3-Pin D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 178 руб.

Техническая документация