ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMG6968UTS-13 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMG6968UTS-13
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMG6968UTS-13
Последняя цена
58 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор N-Ch Dual МОП-транзистор 20V VDSS 30A IDM
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1742465
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.158
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
5.2 A
Pd - рассеивание мощности
1 W
Qg - заряд затвора
8.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
34 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V, + 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
350 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
DMG6968UTS
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
2 N-Channel
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
TSSOP-8
Техническая документация
Datasheet DMG6968UTS-13 , pdf
, 143 КБ
Datasheet , pdf
, 143 КБ
