SIRA00DP-T1-GE3, MOSFET транзистор, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 264 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIRA00DP-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1742592

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PowerPAK SO

Высота

1.12мм

Transistor Material

Кремний

Length

6.25мм

Brand

Vishay

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

147 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

TrenchFET

Transistor Configuration

Одинарный

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 А

Maximum Power Dissipation

104 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.26mm

Maximum Drain Source Resistance

1.35 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 324 КБ
Datasheet SIRA00DP-T1-GE3 , pdf , 327 КБ

SIRA00DP-T1-GE3, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 264 руб.

Техническая документация