2N7002,215, Транзистор, N-канал, 60В, 0.3А [SOT-23]
![2N7002,215, Транзистор, N-канал, 60В, 0.3А [SOT-23]](/file/p_img/1749072.jpg)
Производитель: Nexperia, 2N7002,215
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/0.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.83 |
| Корпус | SOT-23-3 |
N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia
2N7002, Nкан 60В 0.115А SOT23
Производитель: Нет торговой марки, 2N7002
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5 Ом/0.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Крутизна характеристики, S | 80 |
| Корпус | SOT-23-3 |
2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]
![2N7000TA, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92]](/file/p_img/1749070.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, 2N7000TA
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/0.5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Корпус | TO-92(Formed Leads) |
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor
275-102N06A-00, Транзистор, RF Mosfet N-Channel 590W DE275
Производитель: Ixys Corporation, 275-102N06A-00
IPI076N15N5AKSA1
Производитель: Infineon Technologies
Корпус TO-262-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…
IPP410N30NAKSA1, Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Производитель: Infineon Technologies, IPP410N30NAKSA1
N-канал 300V 44A (Tc) 300W (Tc) сквозное отверстие PG-TO220-3
IRF7104TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 2.3A [SOIC-8]
![IRF7104TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 2.3A [SOIC-8]](/file/p_img/1746474.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7104TRPBF
IRF7104TRPBF - это двухканальный МОП-транзистор с двойным каналом, в котором используются передовые технологии обработки для достижения минималь…
IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]
![IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]](/file/p_img/1746473.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7324TRPBF
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 12 В до 20 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с…
IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8]
![IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8]](/file/p_img/1746472.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF7406TRPBF
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon Диапазон дискретных мощных MOSFET-транзисторов Infineon включает P-канальные устройства…
IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8]
![IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8]](/file/p_img/1746471.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRF8313TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпус…