Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

2SJ162 + 2SK1058 (пара), N+Р-канальные транзисторы MOSFET, низкочастотные усилители мощности obs
2SJ162 + 2SK1058 (пара), N+Р-канальные транзисторы MOSFET, низкочастотные усилители мощности obs
Производитель: Renesas Technology, 2SJ162 + 2SK1058 (пара)
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 160
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Крутизна характеристики, S 1.4
Корпус to-3p

2SJ162, Транзистор, Р-канал, аудио приложения [TO-3P]
2SJ162, Транзистор, Р-канал, аудио приложения [TO-3P]
Производитель: Renesas Technology, 2SJ162
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 160
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Крутизна характеристики, S 1.4
Корпус to-3p

2SJ103-GR, Транзистор, Р-канал, аудиоусилители, аналоговый ключ [TO-92]
2SJ103-GR, Транзистор, Р-канал, аудиоусилители, аналоговый ключ [TO-92]
Производитель: Нет торговой марки, 2SJ103-GR
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.014
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 270 Ом/0.05А, 0.01В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3
Крутизна характеристики, S 4
Корпус to-92

2П922А
2П922А
Производитель: Россия
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 75
Крутизна характеристики, S 1.55
Корпус kt-9

2П901Б
2П901Б
Производитель: Россия
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 70
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 20
Крутизна характеристики, S 115
Корпус kt-42

2П305В
2П305В
Производитель: Россия
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.15
Крутизна характеристики, S 8
Корпус kt-112

2П305Б
2П305Б
Производитель: Россия
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.15
Крутизна характеристики, S 6…10
Корпус kt-112

2П305А
2П305А
Производитель: Россия
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.015
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.15
Крутизна характеристики, S 8
Корпус kt-112

2П303В никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
2П303В никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
Производитель: Россия, 2П303В никель
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.02
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.2
Крутизна характеристики, S 2…5
Корпус kt-112

2П303И, никель
2П303И, никель
Производитель: Россия
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.02
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.2
Крутизна характеристики, S 2…6
Корпус kt-112