IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 39 руб.

Сравнить

Описание

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.5 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRF8313TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1746471

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.15

Максимальный непрерывный ток стока

9,7 А

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

21,6 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

8.5 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

8.3 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.35V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

6 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

760 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet IRF8313 , pdf , 255 КБ

IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 39 руб.

Техническая документация